发明名称 一种半导体激光器线宽压缩装置
摘要 本发明公开了一种半导体激光器线宽压缩装置,包括第一环形器、SBS发生介质、第一偏振控制器、组合光纤环单元、以及可饱和吸收体单元,第一环形器与SBS发生介质、第一偏振控制器顺次相连,组合光纤环单元与可饱和吸收体单元、第一偏振控制器顺次相连,第一环形器、SBS发生介质、第一偏振控制器、组合光纤环单元、以及可饱和吸收体单元构成一个超长环形腔,第一环形器用于输入待压缩激光,并将待压缩激光耦合到SBS发生介质,SBS发生介质用于在待压缩激光的泵浦下发生SBS效应,产生与待压缩激光传输方向相反的斯托克斯光,斯托克斯光在所述超长腔中循环运行,而待压缩激光被可饱和吸收体单元的第二环形器阻断。本发明的装置不需要进行光电转换,结构简单。
申请公布号 CN103441426B 申请公布日期 2015.10.28
申请号 CN201310321072.1 申请日期 2013.07.26
申请人 华中科技大学 发明人 柯昌剑;刘亚萍;潘登
分类号 H01S5/0687(2006.01)I;G02F1/35(2006.01)I 主分类号 H01S5/0687(2006.01)I
代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 朱仁玲
主权项 一种半导体激光器线宽压缩装置,包括第一环形器、SBS发生介质、第一偏振控制器、组合光纤环单元、以及可饱和吸收体单元,其特征在于,第一环形器与SBS发生介质、第一偏振控制器顺次相连;组合光纤环单元与可饱和吸收体单元、第一偏振控制器顺次相连;第一环形器、SBS发生介质、第一偏振控制器、组合光纤环单元、以及可饱和吸收体单元构成一个超长环形腔;第一环形器用于输入待压缩激光,并将待压缩激光耦合到SBS发生介质;SBS发生介质用于在待压缩激光的泵浦下发生SBS效应,产生与待压缩激光传输方向相反的Stokes光,并将Stokes光耦合到第一环形器,同时将待压缩激光通过第一偏振控制器耦合到可饱和吸收体单元;可饱和吸收体单元的第二环形器用于通过对光束传输方向性的限制,阻断待压缩激光;第一环形器还用于将来自SBS发生介质的Stokes光与待压缩激光分离,使该Stokes光耦合进入组合光纤环单元;组合光纤环单元用于将压缩后的激光耦合输出,并将部分Stokes光耦合到可饱和吸收体单元;可饱和吸收体单元的宽谱高反镜用于反射Stokes光,第二环形器将Stokes光耦合到第一偏振控制器;第一偏振控制器用于控制Stokes光的偏振态,使之与待压缩激光的偏振态相匹配,Stokes光经第一偏振控制器返回到SBS发生介质,构成循环。
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号