发明名称 三维垂直互连硅基光电同传器件及其制作方法
摘要 本发明公开了一种三维垂直互连硅基光电同传器件及其制作方法,其中光电同传器件包括硅基板,硅基板上设置有铜层、水平波导层以及上包层;所述硅基板上设置有垂直硅通孔和垂直光通孔,铜层上布设有布线图案,水平波导层上设置有光电互连孔和倒三角形反射镜,上包层上设置有与光电互连孔连通的开口,光电互连孔和开口电镀有互连金属。制作方法包括光刻垂直光通孔、垂直硅通孔,制作介质层,制作垂直波导芯层和水平波导层,形成金属RDL层的互连等步骤。本发明能够在硅基板上完成水平光波导和垂直光波导的同时制造,在同一封装体内实现了光波导的水平光互连和垂直互连、垂直方向和水平方向的电互连以及光电之间相互传导的目的,制作工艺简单,成本低廉。
申请公布号 CN103754817B 申请公布日期 2015.10.28
申请号 CN201410042670.X 申请日期 2014.01.28
申请人 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 发明人 刘丰满;戴风伟;于大全;曹立强
分类号 B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81B7/00(2006.01)I
代理机构 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 代理人 任益
主权项 三维垂直互连硅基光电同传器件,包括硅基板(1),其特征在于:所述硅基板(1)上依次设置有绝缘层(2)、介质层(3)、铜层(4)、水平波导层(5)以及上包层(6);所述硅基板(1)上垂直设置有与铜层(4)连通的垂直硅通孔(7)和垂直光通孔(9),相邻垂直硅通孔之间的铜层上布设有与水平波导层(5)连通的布线图案(10),所述垂直光通孔中的芯层与水平波导层连为一体,所述水平波导层(5)上设置有与布线图案错位布置的光电互连孔(11)以及对应垂直光通孔(9)外侧壁的倒三角形反射镜(13),所述上包层上设置有与光电互连孔(11)连通的开口(12);所述光电互连孔(11)和开口(12)电镀有互连金属。
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