发明名称 一种高灵敏度压电式硅麦克风的制备方法
摘要 本发明公开了一种高灵敏度压电式硅麦克风及其制备方法,其压电式硅麦克风包括基底、弹性支撑层、压电薄膜部分和电极部分;所述基底中形成有穿孔,弹性支撑层覆盖于基底表面,压电薄膜部分位于弹性支撑层上,所属压电薄膜部分包括过渡层和压电功能层两部分,过渡层使得其上的压电功能层无裂缝,电极部分包括两电极、电极引线和电极端子,电极部分位于同一平面内,位于压电薄膜部分的上表面,两电极为双螺旋结构,所述两电极位于穿孔区域的正上方,电极端子和电极引线将电极上的信号引出,实现与放大电路的电连接。其优点是:本发明采用双螺旋电极设计,使得压电薄膜沿面内极化,利用压电薄膜的d33模式,提高了压电式硅麦克风的灵敏度。
申请公布号 CN103067838B 申请公布日期 2015.10.28
申请号 CN201210583725.9 申请日期 2012.12.28
申请人 缪建民 发明人 缪建民
分类号 H04R17/00(2006.01)I;H04R31/00(2006.01)I 主分类号 H04R17/00(2006.01)I
代理机构 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人 殷红梅
主权项  一种高灵敏度的压电式硅麦克风的制备方法,其特征是,包括如下步骤:a、提供硅基基底(1);b、在基底(1)上生成一层弹性支撑层(2);c、在基底(1)上生成压电薄膜部分(10)的过渡层(11);d、在基底(1)上生成压电薄膜部分(10)的压电功能层(12);e、在基底(1)上形成第一电极(4)、第一电极引线(5)、第一电极端子(6)、第二电极(7)、第二电极引线(8)和第二电极端子(9),第一电极(4)和第二电极(7)成双螺旋结构;f、在基底(1)底部刻蚀孔(3)贯穿基底;g、在第一电极(4)和第二电极(7)之间施加电压,使得压电薄膜部分(10)的压电功能层(12)面内极化;所述过渡层(11)的材质为ZrO<sub>2</sub>,采用sol‑gel法沉积,采用0.4mol/L的ZrO2溶液以3000rpm旋涂30s,后经450℃热解1分钟,在700℃快速退火1分钟,最后在700℃下退火3小时,所得过渡层(11)的厚度为0.3μm;所述压电功能层(12)的材质为PZT,具有压电效应,有应变时在表面产生电荷,所述压电功能层(12)采用sol‑gel法沉积,采用0.75mol/L的PZT溶液以1500rpm旋涂30s,后经450℃热解1分钟,然后在700℃快速退火1分钟;重复以上sol‑gel法沉积,最终所得压电功能层(12)的厚度为1~2μm;所述弹性支撑层(2)为热氧化氧化硅,厚度为0.5~1μm;所述第一电极(4)、第一电极引线(5)、第一电极端子(6)、第二电极(7)、第二电极引线(8)、第二电极端子(9)材料为Cr/Au,所述第一电极(4)、第一电极引线(5)、第一电极端子(6)、第二电极(7)、第二电极引线(8)、第二电极端子(9)图案采用lift‑off工艺生成,或先沉积一层金属电极材料层再用湿法刻蚀出所需图案。
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