| 发明名称 | 包括中间层的物品以及形成的方法 | ||
| 摘要 | 这些物品包括磁结构；中间层，该中间层被置于磁结构上，该中间层具有从约<img file="DDA0000741310890000011.GIF" wi="100" he="70" />到约<img file="DDA0000741310890000012.GIF" wi="126" he="75" />的厚度，该中间层包括：底部界面层，该底部界面层毗邻磁结构而定位，该底部界面层包括接合至磁结构的原子、化合物或两者的金属的原子；夹层，该夹层被置于底部界面层上，该夹层包括金属的氧化物；顶部界面层，该顶部界面层毗邻夹层而定位，该顶部界面层包括接合至相邻的覆盖层的原子或化合物的金属的原子、金属的氧化物或其某种组合；以及覆盖层，该覆盖层被置于中间层的顶部界面层上。 | ||
| 申请公布号 | CN105009211A | 申请公布日期 | 2015.10.28 |
| 申请号 | CN201380066647.8 | 申请日期 | 2013.03.13 |
| 申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | P·G·皮彻;J·L·布兰德;E·F·雷吉达;R·M·富勒 |
| 分类号 | G11B5/31(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 姬利永 |
| 主权项 | 一种物品，包括：磁结构；中间层，所述中间层被置于所述磁结构上，所述中间层具有从约<img file="FDA0000741310860000011.GIF" wi="103" he="74" />到约<img file="FDA0000741310860000012.GIF" wi="131" he="72" />的厚度，所述中间层包括：底部界面层，所述底部界面层毗邻所述磁结构而定位，所述底部界面层包括接合至所述磁结构的原子、化合物或两者的金属的原子；夹层，所述夹层被置于所述底部界面层上，所述夹层包括所述金属的氧化物；以及顶部界面层，所述顶部界面层毗邻所述夹层而定位，所述顶部界面层包括接合至相邻的覆盖层的原子或化合物的所述金属的原子、所述金属的氧化物或其某种组合；以及覆盖层，所述覆盖层被置于所述中间层的所述顶部界面层上。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||