纳米线传感器圆片级制备及封装方法

摘要

本发明公开一种纳米线传感器圆片级制备及封装方法，制备方法为：a在半导体圆片S1一面制备电极对阵列；b在半导体圆片S2上制作垂直通孔对及溶液腔；c将S1与S2对准、圆片键合，S1上电极部分通过S2垂直通孔暴露，S2溶液腔暴露出S1上电极对一侧；d在S2垂直通孔内制造垂直引出电极、在S2表面制备电互连线对，电互连线对依次电连接S2上垂直引出电极；e滴纳米线分散液至S2上的溶液腔，施加一定频率的交变电压，介电泳力沉积纳米线后，去除分散液得到纳米线传感器圆片。本发明该能够解决现有制备技术批量化、片内纳米线传感器参数重复性差等技术难题，提高生产效率，提高圆片内纳米线传感器参数重复性，降低成本。

主权项

一种纳米线传感器圆片级制备方法，其特征在于，包括：a、在半导体圆片S1一面制备电极对阵列；b、在半导体圆片S2上制作与电极对阵列匹配的垂直通孔对及溶液腔；c、将半导体圆片S1与半导体圆片S2对准、固定，其中，半导体圆片S1上电极部分通过半导体圆片S2垂直通孔暴露，半导体圆片S2溶液腔暴露出半导体圆片S1上电极对一侧；d、在半导体圆片S2垂直通孔内制造垂直引出电极、在半导体圆片S2表面制备电互连线对，电互连线对依次电连接半导体圆片S2上垂直引出电极；e、滴纳米线分散液至半导体圆片S2上的溶液腔，通过半导体圆片S2上引出电极施加一定频率的交变电压，利用交变电压产生的介电泳力沉积纳米线后，去除分散液、半导体圆片S2得到纳米线传感器圆片。