发明名称 |
用于检测毒品的高灵敏度SERS传感器活性基底及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于激光拉曼光谱和痕量毒品检测技术领域,具体涉及一种用于检测毒品的高灵敏度SERS传感器活性基底及其制备方法。本发明提供一种SERS活性基底,所述SERS活性基底是涂覆在基片上的贵金属纳米锥体阵列结构,所述贵金属材料为银和/或金。本发明还提供一种采用氩离子冲击方法制备所述SERS活性基底的方法。本发明所述高灵敏度SERS传感器活性基底具有表面增强拉曼活性,重复率高的,可用于痕量化合物如毒品、爆炸物等探测。 |
申请公布号 |
CN102886933B |
申请公布日期 |
2015.10.28 |
申请号 |
CN201110205749.6 |
申请日期 |
2011.07.21 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所;日本名古屋工业大学 |
发明人 |
杨勇;黄政仁;野上政行;钟村荣 |
分类号 |
B32B15/04(2006.01)I;G01N21/65(2006.01)I |
主分类号 |
B32B15/04(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
郭辉 |
主权项 |
一种SERS活性基底,所述SERS活性基底是涂覆在基片上的贵金属纳米锥体阵列结构,所述贵金属材料为银和/或金;其中,在所述贵金属纳米锥体阵列结构中,顶椎角为15‑30度,锥体的中轴线与基底之间的角度为0‑90度;在所述贵金属纳米锥体阵列结构中,纳米锥体根部直径为100‑500nm,锥体针尖直径为10‑20nm,纳米锥体长度为100‑1000nm。 |
地址 |
200050 上海市长宁区定西路1295号 |