发明名称 |
一种离子液体中痕量H<sub>2</sub>O的检测方法 |
摘要 |
本发明揭示了一种基于场效应晶体管传感器的离子液体痕量H<sub>2</sub>O的检测方法。该传感器利用场效应晶体管的结构,其中有源层为与待检测离子液体不互溶的N型有机半导体材料。将待检测的离子液体滴到该传感器的有源层表面,利用N型半导体材料对水敏感的特性,使得场效应晶体管的电学参数发生变化,从而达到痕量H<sub>2</sub>O的检测的目的。 |
申请公布号 |
CN103376283B |
申请公布日期 |
2015.10.28 |
申请号 |
CN201310307370.5 |
申请日期 |
2013.07.22 |
申请人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
发明人 |
潘革波;肖燕 |
分类号 |
G01N27/26(2006.01)I;G01N27/414(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/26(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种离子液体中痕量H<sub>2</sub>O的检测方法,其特征在于,包括:a)提供一场效应晶体管传感器,该传感器包括N型半导体的有源层,所述的场效应晶体管传感器结构为底栅‑底接触型或底栅‑顶接触型,有源层材料与待检测的离子液体互不溶,所述有源层材料选自富勒烯、F<sub>16</sub>CuPc、或PCBM;b)将待检测的离子液体滴加到所述的有源层表面,观察传感器电学参数的变化,如果电学参数改变,则离子液体中含有痕量H<sub>2</sub>O,否则无痕量H<sub>2</sub>O。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 |