发明名称 压电陶瓷材料及其制备方法
摘要 本发明公开了一种压电陶瓷材料及其制备方法,化学通式为:Pb<sub>1-x</sub>M<sub>x</sub>(Sb<sub>1/2</sub>Nb<sub>1/2</sub>)<sub>y</sub>(Mn<sub>1/3</sub>Sb<sub>2/3</sub>)<sub>z</sub>(Zr<sub>e</sub>Ti<sub>f</sub>)<sub>1-y-z</sub>O<sub>3</sub>+awt.%Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+bwt.%Sm<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+cwt.%MnO<sub>2</sub>+dwt.%Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,其中,M为Sr<sup>2+</sup>和/或Ba<sup>2+</sup>;x=0.02~0.1,y=0.01~0.1,z=0.01~0.1,e=0.40~0.60,f=0.40~0.60且满足e+f=1;a=0~0.4,b=0~0.5,c=0~1.0,d=0~1.0且Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Sm<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、MnO<sub>2</sub>和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>4种掺杂物中至多1种掺杂物的含量为0。本发明的压电陶瓷材料的主要性能为:d<sub>33</sub>=210pC/N,ε<sub>33</sub><sup>T</sup>/ε<sub>0</sub>=585,tanδ=0.20%,kp=0.56,kt=0.54,Qm=1210。相对于一般的功率发射型压电陶瓷材料,本发明的压电陶瓷材料具有较低的介电常数、较小的介电损耗同时具有较高的机械品质因数和机电耦合系数,是一种性能优良的低介电常数、高机械品质因数功率发射型压电陶瓷材料。
申请公布号 CN103771854B 申请公布日期 2015.10.28
申请号 CN201310714087.4 申请日期 2013.12.20
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 李玉臣;董显林;姚烈
分类号 C04B35/493(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/493(2006.01)I
代理机构 上海唯源专利代理有限公司 31229 代理人 刘秋兰
主权项 一种压电陶瓷材料,其特征在于其化学通式为:Pb<sub>1‑x</sub>M<sub>x</sub>(Sb<sub>1/2</sub>Nb<sub>1/2</sub>)<sub>y</sub>(Mn<sub>1/3</sub>Sb<sub>2/3</sub>)<sub>z</sub>(Zr<sub>e</sub>Ti<sub>f</sub>)<sub>1‑y‑z</sub>O<sub>3</sub>+awt.%Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+bwt.%Sm<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+cwt.%MnO<sub>2</sub>+dwt.%Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,其中,M为Sr<sup>2+</sup>和/或Ba<sup>2+</sup>;x=0.02~0.1,y=0.01~0.1,z=0.01~0.1,e=0.40~0.60,f=0.40~0.60且满足e+f=1;a=0~0.4,b=0~0.5,c=0~1.0,d=0~1.0且Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Sm<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、MnO<sub>2</sub>和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>4种掺杂物中至多1种掺杂物的含量为0。
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