一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管

摘要

本发明公开了一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管，晶闸管包括N-衬底、P基区、P+短基区、N+发射区、门极金属电极和阴极金属电极。N+发射区、P+短基区、P基区、N-衬底依次排布，阴极金属电极设置在N+发射区外表面，门极金属电极设置在P+短基区外表面。晶闸管的门阴极结为二层台阶结构，第一层台阶为浅台阶，第一层台阶的底部为P+N+边界。第二层台阶为深台阶，第二层台阶的底部为PN+边界。具有该结构的门极换流晶闸管进一步包括N′缓冲层和P+阳极区。本发明门阴极结能够减少晶闸管N+发射区注入的电子在P+短基区和P基区的复合，增强晶闸管的电导调制效应，并可以进一步提高其导通电流和开通速度。

主权项

一种晶闸管门阴极结，所述晶闸管包括N‑衬底（3）、P基区（4）、P+短基区（5）、N+发射区（6）、门极金属电极（8）和阴极金属电极（9）；所述N+发射区（6）、P+短基区（5）、P基区（4）、N‑衬底（3）依次排布，所述阴极金属电极（9）设置在所述N+发射区（6）的外表面，所述门极金属电极（8）设置在所述P+短基区（5）的外表面，其特征在于：所述晶闸管的门阴极结（12）为二层台阶结构，第一层台阶（14）为浅台阶，所述第一层台阶（14）的底部为P+N+边界；第二层台阶（13）为深台阶，所述第二层台阶（13）的底部为PN+边界。