垂直无结环栅MOSFET器件的结构及其制造方法

摘要

本发明提供的是一种垂直无结环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101，漏区111位于器件的最低端；在衬底101上外延生长漏扩展区106，沟道区107，和源区108，栅氧化层109包围整个沟道区107，在栅氧化层109上淀积多晶硅栅110。所述漏扩展区106、沟道区107、源区108和漏区111的掺杂类型与浓度相同，均为n+掺杂，掺杂浓度为1×10¹⁹～8×10¹⁹cm^-3；所述多晶硅栅110为p+掺杂，掺杂浓度为5×10¹⁹cm^-3。本发明提供一种有效抑制短沟道效应的作用的垂直无结环栅MOSFET结构，还提供一种可以简化工艺流程，灵活控制栅长和硅体区厚度的垂直无结环栅MOSFET的制造方法。

主权项

垂直无结环栅MOSFET器件的结构为：包括底层n型硅晶圆衬底(101)，漏区(111)位于器件的最低端；其特征是：在n型硅晶圆衬底(101)上外延生长漏扩展区(106)，沟道区(107)，和源区(108)，栅氧化层(109)包围整个沟道区(107)，在栅氧化层(109)上淀积多晶硅栅(110)，所述漏扩展区(106)、沟道区(107)、源区(108)和漏区(111)的掺杂类型与浓度相同，均为n+掺杂，掺杂浓度为1×10¹⁹～8×10¹⁹cm^‑3；所述多晶硅栅(110)为p+掺杂，掺杂浓度为5×10¹⁹cm^‑3；所述沟道区(107)沟道长度为10～20nm；所述沟道区(107)成圆柱体，所述多晶硅栅(110)和栅氧化层(109)成圆环状。