一种非挥发性无浮栅晶体场效应管存储器

摘要

本实用新型涉及存储技术领域，具体地，涉及一种非挥发性无浮栅晶体场效应管存储器。其包括SrTiO₃衬底、设于SrTiO₃衬底上的LaAlO₃薄膜和分别设于SrTiO₃衬底上并穿过LaAlO₃薄膜的两个金属电极，两个金属电极分别作为源极S和漏极D，LaAlO₃薄膜上设置有作为栅极G的金属电极，SrTiO₃衬底与LaAlO₃薄膜的界面之间形成二维电子气。本实用新型的LaAlO₃薄膜具备了闪存器件结构中的绝缘层和浮栅层的功能，无需采用存储电荷的浮栅层，结构更简单，器件制备工艺会更简化，且可大幅度提高擦写速度。

主权项

一种非挥发性无浮栅晶体场效应管存储器，其特征在于，包括SrTiO₃衬底、设于SrTiO₃衬底上的LaAlO₃薄膜和分别设于SrTiO₃衬底上并穿过LaAlO₃薄膜的两个金属电极，两个金属电极分别作为源极S和漏极D，LaAlO₃薄膜上设置有作为栅极G的金属电极，SrTiO₃衬底与LaAlO₃薄膜的界面之间形成二维电子气。