发明名称 基于MEMS技术的阵列式红外光源器件及其制备方法
摘要 本发明提供一种基于MEMS技术的阵列式红外光源器件及其制备方法。红外光源器件包括红外发光部分和聚光罩部分。红外发光部分包括第一硅基晶圆、形成在第一硅基晶圆上表面的绝缘层、形成在绝缘层上的金属电极和与金属电极连接的若干个呈阵列式间隔分布的金属加热区、形成在金属加热区周围的绝缘层上的第一锚点和沉积在若干所述金属加热区上表面的高辐射率材料。金属加热区和高辐射率材料共同形成若干个红外辐射源。第一硅基晶圆上形成有位于红外辐射源下方的绝热腔体。聚光罩部分包括第二硅基晶圆和设置在第二硅基晶圆的下表面的第二锚点,第二硅基晶圆上形成有若干与所述红外辐射源一一对应设置的聚光孔;第一锚点和第二锚点相互键合。
申请公布号 CN105004694A 申请公布日期 2015.10.28
申请号 CN201510289459.2 申请日期 2015.05.29
申请人 苏州诺联芯电子科技有限公司 发明人 罗雯雯
分类号 G01N21/3504(2014.01)I;G01J3/10(2006.01)I 主分类号 G01N21/3504(2014.01)I
代理机构 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人 杨林洁
主权项 一种基于MEMS技术的阵列式红外光源器件,其特征在于,所述陈列式红外光源器件包括相互键合在一起的红外发光部分和聚光罩部分,所述红外发光部分包括第一硅基晶圆、形成在第一硅基晶圆上表面的绝缘层、形成在绝缘层上的金属电极和与金属电极连接的若干个呈阵列式间隔分布的金属加热区、形成在金属加热区周围的绝缘层上的第一锚点和沉积在若干所述金属加热区上表面的高辐射率材料,所述金属加热区和高辐射率材料共同形成若干个红外辐射源,所述第一硅基晶圆上形成有位于红外辐射源下方的绝热腔体;所述聚光罩部分包括第二硅基晶圆和设置在第二硅基晶圆的下表面的第二锚点,所述第二硅基晶圆上形成有若干与所述红外辐射源一一对应设置的聚光孔;所述第一锚点和第二锚点相互键合。
地址 215000 江苏省苏州市金鸡湖大道99号研发办公楼A06-501室