发明名称 |
球强度改进的方法以及半导体器件 |
摘要 |
在一种改进半导体器件的球强度的方法中,接收将形成为半导体器件的电连接件的多个连接球的球图案。该图案包括相互交叉的多列和多行。球布置在列和行的交叉点处。球图案的区域中的球布置被修改,使得该区域不包括孤立球。本发明还提供了一种球强度改进的方法以及半导体器件。 |
申请公布号 |
CN103094137B |
申请公布日期 |
2015.10.28 |
申请号 |
CN201210025465.3 |
申请日期 |
2012.02.06 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
于宗源;陈宪伟;陈英儒;梁世纬 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/58(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律师事务所 11306 |
代理人 |
陆鑫;房岭梅 |
主权项 |
一种改进半导体器件的球强度的方法,所述方法包括:接收将形成为所述半导体器件的电连接件的多个连接球的球图案,所述图案包括相互交叉的多列和多行,将所述球布置在所述列和所述行的交叉点处;以及修改所述球图案的区域中的球的布置方式,使得所述区域不包括孤立球,其中,所述孤立球在同一列或同一行中不具有或者仅具有一个紧邻所述孤立球的相邻球。 |
地址 |
中国台湾新竹 |