| 发明名称 | 背照式CMOS影像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种背照式CMOS影像传感器及其制造方法，其中，所述制造方法包括：提供晶圆，所述晶圆中形成有多个光电二极管；在所述晶圆的正面形成触蚀刻停止层，所述触蚀刻停止层的材料为SiN，形成所述触蚀刻停止层的工艺条件为：射频功率：2000W～3000W；间距：1000mil～2500mil；压力：4.1Torr～4.3Torr；温度：300℃～380℃。由此所形成的背照式CMOS影像传感器中的触蚀刻停止层具有较高的反射率，从而能够较好的将照射其上的光线反射进光电二极管中，提高了量子转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103346162B | 申请公布日期 | 2015.10.28 |
| 申请号 | CN201310277985.8 | 申请日期 | 2013.07.03 |
| 申请人 | 豪威科技（上海）有限公司 | 发明人 | 费孝爱;叶菁 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆中形成有多个光电二极管；在所述晶圆的正面形成触蚀刻停止层，所述触蚀刻停止层的材料为SiN，形成所述触蚀刻停止层的工艺条件为：射频功率：2000W～3000W；间距：1000mil～2500mil；压力：4.1Torr～4.3Torr；温度：300℃～380℃。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园上科路88号 | ||