半导体装置、显示模块和电子设备

摘要

本发明提供一种半导体装置、显示模块和电子设备，该半导体装置具有晶体管，所述晶体管包括：第一氧化物半导体层、在第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层、在第二氧化物半导体层上的源电极、以及在第二氧化物半导体层上的漏电极，其中，第一氧化物半导体层包括作为沟道形成区的第一区域，第二氧化物半导体层包括与第一区域重叠的第二区域，第二氧化物半导体层包括与源电极接触的第三区域，第二氧化物半导体层包括与漏电极接触的第四区域，第一区域具有第一导电率，第二区域具有第二导电率，第三区域具有第三导电率，第四区域具有第四导电率，第二导电率低于第一导电率，第三导电率高于第二导电率，第四导电率高于第二导电率。

主权项

一种半导体装置，该半导体装置具有晶体管，所述晶体管包括：氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层上的缓冲层、在所述缓冲层上的源电极、以及在所述缓冲层上的漏电极，其中，所述氧化物半导体层包括作为沟道形成区的第一区域，所述缓冲层包括与所述第一区域重叠的第二区域，所述缓冲层包括与所述源电极接触的第三区域，所述缓冲层包括与所述漏电极接触的第四区域，所述第一区域具有第一导电率，所述第二区域具有第二导电率，所述第三区域具有第三导电率，所述第四区域具有第四导电率，所述第二导电率低于所述第一导电率，所述第三导电率高于所述第二导电率，所述第四导电率高于所述第二导电率，所述第二区域由金属氧化物区域构成，并且所述第三区域和所述第四区域中的每一个由金属区域构成。