| 发明名称 | 一种基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶及其制备方法，所述单晶具有与ZrCuSiAs相同的四方的晶体结构，起始超导转变温度为21K。本发明的制备方法采用CaAs做自助熔剂，通过缓慢降温结晶的方法制得基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶，该方法得到的单晶具有1-2毫米的尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN105002562A | 申请公布日期 | 2015.10.28 |
| 申请号 | CN201510434137.2 | 申请日期 | 2015.07.22 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 马永辉;牟刚;季秋骋;胡康康;高波;谢晓明 |
| 分类号 | C30B29/52(2006.01)I;C30B9/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 张艳;李慧 |
| 主权项 | 一种基于钙氟层的铁砷基高温超导体单晶，其特征在于，所述单晶的化学式为CaFe<sub>0.85</sub>Co<sub>0.15</sub>AsF。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||