发明名称 反应熔滴沉积装置及用其制备弥散强化铜的方法
摘要 本发明公开了一种反应熔滴沉积装置,包括真空室、第一气源、第一抽真空系统和装有Cu-R合金粉末的料斗,其中R为稀土元素的一种或多种组合,所述第一气源、第一抽真空系统分别与真空室连通,所述真空室内设有由加热体进行加热的结晶器,所述料斗的底部设有落料装置使料斗中的Cu-R合金粉末落入结晶器上。本发明提供的反应熔滴沉积装置及用其制备弥散强化铜的方法,控制气氛的成分,通过气-液反应制备复合材料,液相厚度小,扩散距离短;通过可控的原位反应制备弥散强化金属基复合材料。逐层沉积,制备大块复合材料锭。
申请公布号 CN103920878B 申请公布日期 2015.10.28
申请号 CN201410065143.0 申请日期 2014.02.25
申请人 山东科技大学 发明人 谢鲲;夏鹏成;岳丽杰;曹梅青;曾庆良
分类号 B22F3/115(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I 主分类号 B22F3/115(2006.01)I
代理机构 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 代理人 叶树明
主权项 一种反应熔滴沉积装置制备弥散强化铜的方法,包括:a、准备Cu‑R合金粉末,其中R为稀土元素、Zr元素或Th元素中的一种或多种组合,R的含量为0.1‑10wt%;b、将Cu‑R合金粉末散落在结晶器上并对结晶器加热,使Cu‑R合金熔化为合金液膜,所述结晶器放置在抽真空环境中,并且抽真空环境中充有保护气氛;c、向抽真空环境中充入保护气氛和氧气的混合气体,并且氧气的含量不超过混合气体总体积的10%,保持一定时间使合金液膜中的R元素氧化,得到一层氧化物弥散强化铜;d、重复b、c,使氧化物弥散强化铜逐层增厚。
地址 266590 山东省青岛市经济技术开发区前湾港路579号
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