一种三维阵列存储器装置及其操作方法

摘要

本发明公开了一种三维阵列存储器装置及其操作方法，该三维阵列存储器装置包括：一选择线与多个二极管；选择线是位于源极线及位线其中之一，与存储器单元之间；二极管位于其他位线及源极线，与存储器单元之间，用以提供存储器单元必要的绝缘。

主权项

一种存储器装置，包括：一集成电路衬底；一非易失性存储器单元的三维阵列，位于该集成电路衬底上，该三维阵列包括：非易失性存储器单元的多个与非门串的叠层，该多个与非门串的叠层具有两端，包括一第一端与一第二端，该第一端与该第二端其中之一耦接于位线，该第一端与该第二端其中之另一耦接于源极线；一选择线，仅位于该多个与非门串的叠层的该第一端，而不位于该多个与非门串的叠层的该第二端，该选择线选择性地将该多个与非门串电性连接于多条位线与多条源极线其中之一，该选择线垂直地排列于该多个与非门串的叠层之上，且具有与该多个与非门串的叠层共形的表面；及多个二极管，该多个二极管将该多个与非门串耦接至其他在相同平面中的多条位线与多条源极线，使得该选择线位于该多个与非门串的叠层的该第一端，该多个二极管位于该多个与非门串的叠层的该第二端；其中，相同平面是与非门串、位线与源极线三者均在的同一平面。