发明名称 |
直拉单晶直径测量方法 |
摘要 |
一种直拉单晶直径测量方法,包括利用一个CCD摄像头获取单晶生长图像以及对单晶生长图像进行处理,CCD摄像头的分辨率高于200万像素,对单晶生长图像进行处理包括步骤:提取单晶生长固液界面处的晶体轮廓;将晶体轮廓进行拟合,获得椭圆边界;将椭圆边界校正成圆形边界;以及获得单晶直径。本发明直拉单晶直径测量方法测定结果精度高,且操作简单,无噪音干扰。本发明可用于测量引晶、放肩、转肩及等径过程的单晶直径的测量。 |
申请公布号 |
CN103046128B |
申请公布日期 |
2015.10.28 |
申请号 |
CN201210563386.8 |
申请日期 |
2012.12.21 |
申请人 |
西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司 |
发明人 |
石磊;邢建龙 |
分类号 |
C30B15/26(2006.01)I |
主分类号 |
C30B15/26(2006.01)I |
代理机构 |
西安弘理专利事务所 61214 |
代理人 |
罗笛 |
主权项 |
一种直拉单晶直径测量方法,包括利用一个CCD摄像头获取单晶生长图像以及对所述单晶生长图像进行处理,其特征在于,所述CCD摄像头的分辨率高于200万像素,对所述单晶生长图像进行处理包括步骤:提取单晶生长固液界面处的晶体轮廓,所述晶体轮廓包括内缘和外缘;对所述晶体轮廓的外缘进行拟合获得椭圆边界,并对所述晶体轮廓的内缘进行拟合获得内参考边界;将所述基于外缘的椭圆边界校正成圆形边界、并将所述基于内缘的内参考边界校正成内边圆形边界,然后根据圆形边界和内边圆形边界的变化量获得单晶直径生长趋势;以及获得单晶直径。 |
地址 |
710100 陕西省西安市长安区航天中路388号 |