发明名称 |
碳化硅外延层区域掺杂的方法 |
摘要 |
一种碳化硅外延层区域掺杂的方法,包括:取一碳化硅衬底,并清洗干净;在衬底的表面外延一第一本征硅层;刻蚀,在第一本征硅层上形成第一图形化硅层,刻蚀深度到达衬底的表面;升高温度使第一本征硅层熔化,通入碳源,同时通入第一类型掺杂源,使熔化的第一图形化硅层形成第一类型掺杂的碳化硅,形成基片;低温下通入硅源,在基片上生长第二本征硅层;刻蚀,将第一类型掺杂的碳化硅上的第二本征硅层刻蚀掉,刻蚀深度到达第一类型掺杂的碳化硅的表面,形成第二图形化硅层;升高温度使第二图形化硅层熔化,通入碳源,同时通入第二类型掺杂源,使熔化的第二图形化硅层形成第二掺杂的碳化硅层;腐蚀硅残留,得到所需完整的具有第一、第二类区域掺杂类型碳化硅外延层,完成制备。 |
申请公布号 |
CN105002563A |
申请公布日期 |
2015.10.28 |
申请号 |
CN201510490656.0 |
申请日期 |
2015.08.11 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
刘兴昉;刘斌;闫果果;刘胜北;王雷;赵万顺;张峰;孙国胜;曾一平 |
分类号 |
C30B31/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B31/06(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种碳化硅外延层区域掺杂的方法,包括如下步骤:步骤1:取一碳化硅衬底,并清洗干净;步骤2:在衬底的表面外延一第一本征硅层;步骤3:刻蚀,在第一本征硅层上形成第一图形化硅层,刻蚀深度到达衬底的表面;步骤4:升高温度使第一本征硅层熔化,通入碳源,同时通入第一类型掺杂源,使熔化的第一图形化硅层形成第一类型掺杂的碳化硅,形成基片;步骤5:低温下通入硅源,在基片上生长第二本征硅层;步骤6:刻蚀,将第一类型掺杂的碳化硅上的第二本征硅层刻蚀掉,刻蚀深度到达第一类型掺杂的碳化硅的表面,形成第二图形化硅层;步骤7:升高温度使第二图形化硅层熔化,通入碳源,同时通入第二类型掺杂源,使熔化的第二图形化硅层形成第二掺杂的碳化硅层;步骤8:腐蚀硅残留,得到所需完整的具有第一、第二类区域掺杂类型碳化硅外延层,完成制备。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |