表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法

摘要

本发明提供的一种高响应度的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法，制备包括具有多孔沟壑表面的Ⅲ-Ⅴ半导体基底和分布在所述基底上的Au纳米颗粒的表面增强拉曼散射活性基底，包括步骤：对基底表面进行刻蚀处理，形成粗糙的表面；通过电化学沉积法在具有多孔沟壑结构的基底表面沉积Au纳米颗粒。该制备方法不仅方法简单，成本低廉，易于实现；而且，通过该方法制备的表面增强拉曼散射活性基底中无纳米颗粒团聚现象，且具有很高的电场强度和光生载流子寿命和较高的拉曼信号强度，从而使其具有较高的重复利用率和检测灵敏度，进而可以用于超低分子浓度SERS检测中，使其具有较广的使用范围。

主权项

一种表面增强拉曼散射活性基底的制备方法，其特征在于，制备包括具有多孔沟壑表面的Ⅲ‑Ⅴ半导体基底和分布在所述基底上的Au纳米颗粒的表面增强拉曼散射活性基底。