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<p>가변, 예를 들어, 튜너블 3개의 커패시턴스 디바이스들을 구현하기 위한 방법들 및 장치가 설명된다. 다양한 실시예들에서, 서로 이격되어 있는 수직 제어 기둥들은 제어 기둥들의 극성과는 반대 극성을 갖는 웰 내에서 연장한다. 제어 기둥들은 깊은 트렌치 게이트와 웰 픽업에 평행하지만 그 사이에서 연장하는 라인 내에 배열된다. 제어 기둥들에 인가되는 전압을 변화시킴으로써, 기둥들 주위의 공핍 존의 크기가 변화될 수 있으며, 그 결과 웰 픽업에 접속된 픽업 단자와 트렌치 게이트 사이의 커패시턴스의 변화를 초래한다. 제어 기둥들의 일반적인 수직 특성은, 디바이스로 하여금 다른 반도체 디바이스들과 함께 칩 상에서 구현하기에 용이하게 하는 공통의 반도체 제조 단계들을 이용하여 제조하도록 허용하면서, 넓은 범위의 전압들에 대한 제어를 용이하게 한다.</p> |
