| 发明名称 | 处理室中由汽相沉积在半导体晶片上沉积层的方法和设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种处理室中由汽相沉积在半导体晶片上沉积层的方法和设备，尤其是涉及一种在具有上盖和下盖的处理室中由汽相沉积在半导体晶片上沉积层的方法和设备。该方法包括：测量所述半导体晶片的前侧的温度；将半导体晶片加热至沉积温度；将所述处理室的上盖的温度控制为目标温度，其中上盖的温度在上盖的外表面的中心处测量，并作为用于控制上盖的温度的控制回路的受控变量的实际值；设定气体流量，用于沉积所述层的工艺气体以所述气体流量被引导通过所述处理室；以及在将所述处理室的上盖的温度控制为目标温度期间，在加热至沉积温度的半导体晶片的前侧沉积所述层。 | ||
| 申请公布号 | CN103014659B | 申请公布日期 | 2015.10.28 |
| 申请号 | CN201210352130.2 | 申请日期 | 2012.09.20 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | G·布伦宁格 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01)I;C23C16/46(2006.01)I;C23C16/48(2006.01)I;C30B25/10(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王永建 |
| 主权项 | 一种在具有上盖和下盖的处理室中由汽相沉积在半导体晶片上沉积层的方法，其包括：测量半导体晶片的前侧的温度；将半导体晶片加热至沉积温度；将处理室的上盖的温度控制为目标温度，其中上盖的温度在上盖的外表面的中心处测量并作为用于控制上盖的温度的控制回路的受控变量的实际值；设定气体流量，用于沉积所述层的工艺气体以所述气体流量被引导通过所述处理室；以及在将所述处理室的上盖的温度控制为目标温度期间，在加热至沉积温度的半导体晶片的前侧上沉积所述层，其中所述目标温度被选择为使得其与工艺气体的设定气体流量相互关联。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||