发明名称 用于控制半导体芯片封装相互作用的应变补偿填充图案
摘要 本发明涉及一种用于控制半导体芯片封装相互作用的应变补偿填充图案,一般来说,本文所披露的主题涉及到复杂的半导体芯片,其在比如倒装芯片或3D芯片装配之类的半导体芯片封装操作期间较不易有白凸点的发生。本文所披露的一个说明性的半导体芯片包括,除其它外,接合垫和在接合垫下方的金属化层,其中金属化层是由接合垫下方的接合垫区域和围绕接合垫区域的空旷区域所构成。此外,半导体器件还包括在金属化层中的多个器件特征,其中所述多个器件特征具有在接合垫区域中的第一特征密度和在空旷区域中小于第一特征密度的第二特征密度。
申请公布号 CN103000602B 申请公布日期 2015.10.28
申请号 CN201210337252.4 申请日期 2012.09.12
申请人 格罗方德半导体公司 发明人 V·W·瑞恩
分类号 H01L23/488(2006.01)I 主分类号 H01L23/488(2006.01)I
代理机构 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人 程伟;王锦阳
主权项 一种半导体芯片,包括:接合垫;在所述接合垫下方的金属化层,其中,所述金属化层包括在所述接合垫下方的接合垫区域和围绕所述接合垫区域的空旷区域;以及在所述金属化层中的多个导电器件特征,所述多个导电器件特征包括在所述接合垫区域中的第一组导电器件特征和在所述空旷区域中的第二组导电器件特征,其中,所述第一组具有第一特征分布密度且所述第二组具有小于所述第一特征分布密度的第二特征分布密度,以及其中,所述多个导电器件特征的至少一个为在所述半导体芯片的电气操作期间不传递电流的虚设器件特征,且所述虚设器件特征是金属插头,且当所述多个导电器件特征有多个为虚设器件特征时,所述虚设器件特征未与所述半导体芯片的其他所述虚设器件特征电性连接。
地址 英属开曼群岛大开曼岛