发明名称 基于凡士林的微电极阵列及其制作方法
摘要 本发明公开了一种基于凡士林的微电极阵列及其制作方法。该方法,包括如下步骤:将玻碳电极,金刚石电极或者其他碳基材料电极预处理后,将溶液a或b均匀涂覆在所述电极的表面,干燥得到所述微电极阵列;所述溶液a中,溶质为凡士林,溶剂为乙醚;所述混合液b中,溶质为凡士林和氧化铟锡,溶剂为乙醚。该方法简便,有效,在数分钟内即可制得一个微电极阵列;且得到的微电极阵列尺寸可调节,具有重要的应用价值。
申请公布号 CN103364467B 申请公布日期 2015.10.28
申请号 CN201310308645.7 申请日期 2013.07.22
申请人 首都师范大学 发明人 林雨青;尹璐;徐亚男;高月磊
分类号 G01N27/30(2006.01)I 主分类号 G01N27/30(2006.01)I
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人 关畅
主权项 一种微电极阵列,由导电基底和阵列层组成;所述阵列层位于所述导电基底之上,且覆盖所述导电基底的表面;所述阵列层为两种;一种阵列层由凡士林组成;所述阵列层由溶液a制得;所述溶液a中,溶质为凡士林,溶剂为乙醚;所述溶液a的浓度为10‑30mg/mL;另一种阵列层由凡士林和导电纳米粒子组成,且所述导电纳米粒子均匀分布在所述凡士林中;所述阵列层由溶液b制得;所述溶液b中,溶质为凡士林和导电纳米粒子,溶剂为乙醚;凡士林在所述溶液b中的浓度为50‑100mg/mL。
地址 100048 北京市海淀区西三环北路105号