发明名称 具有增强的表面轮廓和改善的性能的硅溅射靶及其制造方法
摘要 提供了溅射靶组件以及所述溅射靶组件的制造方法。所述溅射靶组件可具有靶坯。所述靶坯可具有至少一个厚度T1的平坦表面和厚度T2的下凹中心,其中T2小于T1。
申请公布号 CN105008582A 申请公布日期 2015.10.28
申请号 CN201480011876.4 申请日期 2014.01.03
申请人 东曹SMD有限公司 发明人 袁永文;E.Y.伊万诺夫
分类号 C23C14/34(2006.01)I;B23K20/00(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 宋莉
主权项 包含靶坯和背衬板的溅射靶组件,其中,所述靶坯具有至少一个厚度T1的平坦表面、厚度T2的下凹中心且其中T2小于T1。
地址 美国俄亥俄州