| 摘要 |
<p>본 발명은 도핑된 그래핀 패턴의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 기판 상에 n형 탄소전구체를 포함하는 탄소전구체를 분사하는 단계, 상기 분사된 탄소전구체에 전자빔 또는 이온빔을 조사하여 비정질 탄소 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 비정질 탄소 패턴을 열처리하여 n형 그래핀 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 그래핀 패턴을 형성할 때에 발생되는 기판 손상을 줄이고, 그래핀 특성이 저하되지 않고도 그래핀 패턴을 형성할 수 있는 효과가 있다. 또한, 별도의 포토리소그래피 공정 없이 간단한 공정을 통해 그래핀 패턴 및 p-n 다이오드를 형성할 수 있다.</p> |
