发明名称 SUBSTRATE-PROCESSING APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RECORDING MEDIUM
摘要 기판에 처리액을 증발시킨 처리 가스를 공급하여 처리하는 처리실을 갖는 기판 처리 장치이며, 상기 처리액을 일시적으로 저류시키고, 상기 처리실에 공급하는 리저브 탱크와, 상기 리저브 탱크에 접속된 라인 절환 유닛과, 상기 라인 절환 유닛에 접속되고, 상기 리저브 탱크에 처리액을 공급하는 탱크 공급관과, 상기 라인 절환 유닛에 접속되고, 상기 리저브 탱크 내의 처리액을 배출하는 배출부와, 상기 처리액 공급관으로부터 상기 리저브 탱크로 처리액을 공급하는 처리액 보충 공정의 전과 후 중 어느 하나 또는 양쪽에서, 상기 리저브 탱크로부터 상기 배출부로 처리액을 배출하는 처리액 배출 공정과, 상기 탱크 공급관으로부터 상기 배출부로 처리액을 공급하는 관내 배출 공정 중 어느 하나 또는 양쪽을 행하도록 상기 라인 절환 유닛을 제어하는 제어부를 갖는다.
申请公布号 KR20150120515(A) 申请公布日期 2015.10.27
申请号 KR20157026201 申请日期 2014.03.25
申请人 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. 发明人 KONTANI TADASHI;TATENO HIDETO;UMEKAWA ATSUSHI
分类号 H01L21/205;C23C16/448;H01L21/31 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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