发明名称 SI-BASED ALLOY NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL FOR STORAGE DEVICE, AND ELECTRODE OBTAINED USING SAME
摘要 조직의 미세화, 우수한 이온 전도성 및 전자 전도성, 응력 완화 효과를 높이는 성분계의 제어 및 Si상과 금속간 화합물상의 결정자 크기를 제어함으로써, 우수한 전지 특성을 얻을 수 있는 Si계 합금 음극재료 및 전극이 제공된다. 본 발명에 따른 음극재료는 충방전시에 리튬이온의 이동이 수반되는 축전 디바이스용 Si계 합금으로 이루어지는 음극재료로서, Si계 합금으로 이루어지는 음극재료가 Si로 이루어지는 Si 주요상(相)과, Si와 Si 이외의 1종 이상의 원소로 이루어지는 화합물상을 포함하고, 화합물상이 Si와 Cr, 또는 Si와 Cr과 Ti로 이루어지는 상을 포함하는 상을 가지며, Si 주요상의 Si 결정자 크기가 30nm 이하이며, 또한, Si와 Cr, 또는 Si와 Cr과 Ti로 이루어지는 화합물상의 결정자 크기가 40nm 이하인 음극재료이다.
申请公布号 KR20150120349(A) 申请公布日期 2015.10.27
申请号 KR20157021216 申请日期 2014.02.10
申请人 SANYO SPECIAL STEEL CO., LTD. 发明人 HIRONO TOMOKI;KUSE TETSUJI;KARIYA TETSURO;SAWADA TOSHIYUKI
分类号 H01M4/36;H01G11/50;H01M4/134;H01M4/38;H01M4/62 主分类号 H01M4/36
代理机构 代理人
主权项
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