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<p>흔히 폐기되는 5㎜ 안밖의 웨이퍼 최외곽 영역에서 패턴의 임계 선폭이 크게 증가하거나 감소하고, 특히 라디칼 에치가 진행되는 폴리 에치의 경우 라디칼 에천트의 밀도가 높아지면, 폴리실리콘막의 임계 선폭이 작아지고, 폴리메릭 에치가 진행되는 옥사이드 에치의 경우 폴리머의 밀도가 높아지면, 옥사이드막의 임계 선폭이 커지는 웨이퍼 프로세스의 특성상, 식각되는 물질막과 사용되는 프로세스 가스의 선택에 따라 식각 정도가 달라지는 점을 고려하여, 상기 물질막과 프로세스 가스의 종류와 관계 없이 동일한 프로세스 챔버 내에서도 선택적으로 식각 온도를 제어할 수 있는 에지용 냉각수단 및 가열수단을 커플링 링에 별도로 구비한다. 상기 냉각수단은 쿨런트가 플로우되는 쿨런트 채널로 구성되고, 가열수단은 저항성의 히터 코일로 구성된다.</p> |
