Diodo de emisión de luz de GaN mejorado

摘要

Diodo de emisión de luz a base de GaN, que comprende: un sustrato (101), una estructura de emisión de luz (12) que comprende: una capa de revestimiento N (106), una región activa (107), y una capa de revestimiento P (108), una estructura de ventana (13, 109, 110, 111) sometida a crecimiento sobre dicha capa de revestimiento P (108), un electrodo N (115) en contacto óhmico con dicha capa de revestimiento N (106), y un electrodo P (113) en contacto óhmico con dicha capa de revestimiento P (108), en el que: dicha estructura de ventana (13) comprende una capa externa delgada transparente y conductora (111) que tiene una superficie expuesta con cuatro lados; y el par complementario de electrodos P y N (113; 115) están formados a lo largo de lados opuestos de dicha superficie expuesta, caracterizado por que dicho electrodo P (113) está formado sobre dicha superficie expuesta y tiene forma de T cuando se ve desde la parte superior, siendo la cabeza de la forma de T una barra formada a lo largo un lado de dicha superficie expuesta, y siendo una pata de la forma de T una parte semicircular que une la barra; dicho electrodo P (113) está formado de una capa de Ti que pasa a través de la capa externa conductora (111) y en el que una almohadilla de unión de Au está formada sobre y en la forma del electrodo Ti; y dicho electrodo N (115) comprende un conjunto de almohadilla de unión formado sobre dicha capa de revestimiento N (106) a través de una abertura situada en el centro del lado de la cara opuesta a dicho un lado.