| 摘要 |
L'invention concerne une matrice de photodiodes (300) comprenant : - une couche utile (10) en CdxHg1-xTe ; - des premières zones dopées (151) formant chacune une jonction PN (15) avec une deuxième zone dopée (152) entourant les premières zones dopées. Selon l'invention, la matrice (300) comprend, entre deux jonctions PN (15), des régions (14) présentant un gradient de concentration en cadmium décroissant depuis la face supérieure (108) vers la face inférieure (109) de la couche utile. L'invention concerne également un procédé de réalisation d'une telle matrice de photodiodes. |
