| 摘要 |
Eine vertikale Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper, der Folgendes umfasst: eine erste Oberfläche; eine zweite, der ersten Oberfläche gegenüberliegende Oberfläche; einen Rand, der sich in einer vertikalen Richtung im Wesentlichen im rechten Winkel zu der ersten Oberfläche erstreckt; einen aktiven Bereich; einen peripheren Bereich, der sich in einer horizontalen Richtung im Wesentlichen parallel zu der ersten Oberfläche zwischen dem aktiven Bereich und dem Rand erstreckt; und einen pn-Übergang, der benachbart zur erste Oberfläche angeordnet ist und sich von dem aktiven Bereich in den peripheren Bereich erstreckt. In dem peripheren Bereich umfasst die Halbleitervorrichtung ferner ein erstes leitfähiges Gebiet, das benachbart zur erste Oberfläche angeordnet ist; ein zweites leitfähiges Gebiet, das benachbart zur erste Oberfläche und in horizontaler Richtung zwischen dem ersten leitfähigen Gebiet und dem Rand angeordnet ist, und eine Passivierungsstruktur, die in einem vertikalen Querschnitt einen ersten Bereich, der das erste leitfähige Gebiet zumindest teilweise abdeckt, und einen zweiten Bereich, der das zweite leitfähige Gebiet zumindest teilweise abdeckt, umfasst. Der erste Bereich weist eine andere Schichtzusammensetzung auf als der zweite Bereich und/oder eine erste Dicke, die sich von einer zweiten Dicke des zweiten Bereichs unterscheidet. |
