HALBLEITERBAUELEMENT UND HERSTELLUNG DESSELBEN

摘要

Es werden ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Ausbilden desselben beschrieben. Ein Halbleiterbauelement enthält einen aktiven Bereich neben einem Kanal in einem Halbleiterverbund. Der aktive Bereich enthält eine erste Aktivbereichsschicht mit einer ersten Dotandenkonzentration, eine zweite Aktivbereichsschicht mit einer zweiten Dotandenkonzentration über der ersten Aktivbereichsschicht, und eine dritte Aktivbereichsschicht mit einer dritten Dotandenkonzentration über dem zweiten aktiven Bereich. Die dritte Dotandenkonzentration ist größer als die zweite Dotandenkonzentration, und die zweite Dotandenkonzentration ist größer als die erste Dotandenkonzentration. Der Kanal enthält eine zweite Kanalschicht, die Kohlenstoff umfasst, über einer ersten Kanalschicht und eine dritte Kanalschicht über der zweiten Kanalschicht. Die Konfiguration der aktiven Bereiche verbessert den Ansteuerungsstrom und reduziert den Kontaktwiderstand, und die Kanalkonfiguration erhöht die kurze Kanalsteuerung im Vergleich zu einem Halbleiterbauelement ohne die Konfiguration der aktiven Bereiche und der Kanäle.