Speicher-Zuerst-Prozessfluss und Vorrichtung

摘要

Es werden hier Halbleitervorrichtungen und Verfahren zum Herstellen solcher Vorrichtungen beschrieben. Gemäß Ausführungsformen umfasst eine Halbleitervorrichtung ein Speicher-Gate, das in einer ersten Region der Halbleitervorrichtung angeordnet ist. Das Speicher-Gate kann eine erste Gate-Leiter-Schicht umfassen, die über einem Ladungseinfang-Dielektrikum angeordnet ist. Ein Auswahl-Gate kann in der ersten Region der Halbleitervorrichtung neben einer Seitenwand des Speicher-Gates angeordnet sein. Ein Seitenwand-Dielektrikum kann zwischen der Seitenwand des Speicher-Gates und des Auswahl-Gates angeordnet sein. Zusätzlich kann die Vorrichtung ein Logik-Gate umfassen, das in einer zweiten Region der Halbleitervorrichtung angeordnet ist, die die erste Gate-Leiter-Schicht beinhaltet.