Epitaxialfilm auf Nanostruktur

摘要

Eine Ausführungsform der Erfindung beinhaltet eine Epitaxial-Schicht, die zum Beispiel direkt einen Nanodraht, eine Flosse- oder eine Säule auf eine Weise kontaktiert, die es der Schicht ermöglicht, sich mit zwei oder drei Freiheitsgraden zu entspannen. Die Epitaxial-Schicht kann in einer Kanalregion eines Transistors enthalten sein. Der Nanodraht, die Flosse oder die Säule können entfernt werden, um besseren Zugang zur Epitaxial-Schicht bereitzustellen. Dies zu tun, kann eine”All-around-Gate”-Struktur ermöglichen, bei dem das Gate den Oberteil, den Boden und die Seitenwände der Epitaxial-Schicht umgibt. Andere Ausführungsformen werden hier beschrieben.