| 发明名称 | 一种高电压LED封装结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型克服了现有技术存在的不足，提供了一种高电压LED封装结构，该结构在不改变现有封装流程的情况下，直接在封装体内串接三颗LED芯片，从而使白光成品正向电压分布在9～10V之间；为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：一种高电压LED封装结构，包括LED封装本体、LED芯片和LED支架，所述LED支架设置在LED封装本体上端，多颗所述LED芯片依次排列设置在LED支架上，并通过引线将相邻LED芯片上的金属焊垫连接，所述引线与金属焊垫之间的焊接采用BSOB模式，所述LED芯片的电压为3V～3.4V；本实用新型可广泛应用于LED封装领域。 | ||
| 申请公布号 | CN204720473U | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201520350582.6 | 申请日期 | 2015.05.28 |
| 申请人 | 长治虹源光电科技有限公司 | 发明人 | 徐龙飞 |
| 分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L25/075(2006.01)I;H01L33/64(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/48(2010.01)I |
| 代理机构 | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人 | 胡新瑞 |
| 主权项 | 一种高电压LED封装结构，其特征在于：包括LED封装本体（1）、LED芯片（2）和LED支架（5），所述LED支架（5）设置在LED封装本体（1）上端，多颗所述LED芯片（2）依次排列设置在LED支架（5）上，并通过引线（3）将相邻LED芯片（2）上的金属焊垫（4）连接，所述引线（3）与金属焊垫（4）之间的焊接采用BSOB模式，所述LED芯片（2）的电压为3V～3.4V。 | ||
| 地址 | 046000 山西省长治市城区北董新街65号 | ||