发明名称 一种低发热量的损耗抑制型高频变换检波系统
摘要 本发明公开了一种低发热量的损耗抑制型高频变换检波系统,由变压器T1,变压器T2,采样电路,与采样电路相连接的线性驱动电路,与线性驱动电路相连接的电压比较电路,与变压器T1副边相连接的混频电路,与混频电路相连接的第一转换电路,同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路,以及与处理电路输出端相连接的第二转换电路组成;其特征在于:在电压比较电路与混频电路之间还设置有损耗抑制电路;所述的损耗抑制电路由抑制芯片U2,三极管Q8,三极管Q9,三极管Q10,电阻R30,电阻R33,电阻R29,极性电容C12等组成。本发明设置有损耗抑制电路,该电路可降低系统做功时的损耗,从而使该系统的探测速度更快、更准确。
申请公布号 CN104993680A 申请公布日期 2015.10.21
申请号 CN201510324960.8 申请日期 2015.06.14
申请人 成都颉盛科技有限公司 发明人 雷明方
分类号 H02M1/32(2007.01)I 主分类号 H02M1/32(2007.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种低发热量的损耗抑制型高频变换检波系统,由变压器T1,变压器T2,采样电路,与采样电路相连接的线性驱动电路,与线性驱动电路相连接的电压比较电路,与变压器T1副边相连接的混频电路,与混频电路相连接的第一转换电路,同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路,以及与处理电路输出端相连接的第二转换电路组成;其特征在于:在电压比较电路与混频电路之间还设置有损耗抑制电路;所述的损耗抑制电路由抑制芯片U2,三极管Q8,三极管Q9,三极管Q10,正极顺次经电阻R30、电阻R33后与三极管Q9的发射极相连接、负极经电阻R29后与电压比较电路相连接的极性电容C12,N极经电阻R22后与抑制芯片U2的SW管脚相连接、P极顺次经电阻R32、二极管D4、电阻R23、极性电容C14后与抑制芯片U2的SENSE1管脚相连接的二极管D3,正极经可熔电阻R31后与三极管Q8的基极相连接、负极经电阻R21后与三极管Q9的基极相连接的极性电容C13,正极与二极管D3的N极相连接、负极与抑制芯片U2的IN管脚相连接的极性电容C15,P极与抑制芯片U2的COMP管脚相连接、N极经可变电阻R26后与三极管Q10的基极相连接的二极管D5,负极经电阻R24后与抑制芯片U2的PWM管脚相连接、正极经电阻R25后与三极管Q10的发射极相连接的极性电容C16,P极经极性电容C17后与三极管Q10的集电极相连接、N极顺次经电阻R28、二极管D6后与抑制芯片U2的VDD管脚相连接的二极管D8,以及P极经电阻R27后与三极管Q9的集电极相连接、N极与混频电路相连接的二极管D7组成;所述三极管Q8的发射极与极性电容C14的正极相连接、其集电极则与二极管D5的P极相连接,三极管Q9的集电极接地;所述抑制芯片U2的SENSE2管脚与二极管D4与电阻R23的连接点相连接、其GND管脚接地、其PWM管脚还同时与二极管D8的N极和二极管D7的P极相连接;所述变压器T2的原边与第二转换电路相连接,变压器T1的原边与电压比较电路相连接;所述的线性驱动电路由驱动芯片U,三极管Q4,三极管Q5,三极管Q6,三极管Q7,正极与采样电路相连接、负极经电阻R14后与驱动芯片U的IN1管脚相连接的极性电容C9,一端与三极管Q4的集电极相连接、另一端经电阻R16后与三极管Q6的基极相连接的电阻R15,正极与三极管Q4的基极相连接、负极与驱动芯片U的IN1管脚相连接的极性电容C11,正极与驱动芯片U的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C10,一端与三极管Q4的发射极相连接、另一端与三极管Q5的基极相连接的电阻R18,一端与三极管Q5的基极相连接、另一端与三极管Q6的基极相连接的电阻R17,N极与三极管Q4的集电极相连接、P极与三极管Q5的集电极相连接的二极管D1,正相端与三极管Q4的集电极相连接、反相端与三极管Q7的集电极相连接的非门Y,一端与三极管Q7发射极相连接、另一端经电阻R19后与三极管Q6的发射极相连接的电阻R20,以及P极与非门Y的反相端相连接、N极与电阻R19和电阻R20的连接点相连接的二极管D2组成;所述驱动芯片U的VCC管脚与三极管Q4的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管Q5的集电极相连接,三极管Q5的集电极还与三极管Q7的基极相连接、其发射极与三极管Q6的基极相连接,三极管Q6的集电极接地,二极管D2的N极与电压比较电路相连接。
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