一种降低图像传感器暗电流的方法

摘要

本发明提供了降低图像传感器暗电流的方法，包括光电二极管的制备和晶体管的制备。晶体管制备过程中，先形成上述四个晶体管的栅极，然后，形成复位管、放大管和选择管的轻掺杂漏区；接着，在复位管、放大管、选择管和转移管的栅极侧壁上形成相应的侧墙；最后，在转移管的侧墙外侧底部的半导体器件衬底中形成转移管的轻掺杂漏区。从而增加了转移管的有效沟道长度，使沟道方向的电场降低，进而抑制了热电子的产生几率，以降低图像传感器的暗电流。

主权项

一种降低图像传感器暗电流的方法，所述图像传感器包括光电二极管和晶体管，所述晶体管包括转移管、复位管、放大管和选择管，所述转移管的轻掺杂漏区为浮动扩散点；所述方法包括所述光电二极管的制备和所述晶体管的制备，其特征在于，所述晶体管的制备包括：步骤01：提供一半导体器件衬底；步骤02：在所述半导体器件衬底上形成所述转移管的栅极、所述复位管的栅极、所述放大管的栅极和所述选择管的栅极；步骤03：在所述半导体器件衬底中形成所述复位管的轻掺杂源、漏区，所述放大管的轻掺杂源、漏区，和所述选择管的轻掺杂源、漏区；步骤04：在所述转移管的栅极侧壁、所述复位管的栅极侧壁、所述放大管的栅极侧壁和所述选择管的栅极侧壁形成侧墙；步骤05：在所述转移管的侧墙外侧底部的所述半导体器件衬底中形成所述转移管的轻掺杂源、漏区。