| 发明名称 | 半导体纳米线的凹槽式接触 | ||
| 摘要 | 一种半导体纳米线器件，包括：至少一根半导体纳米线，其具有底面和顶面；绝缘材料，其包围所述半导体纳米线；以及电极，其欧姆接触所述半导体纳米线的顶面。所述电极与所述半导体纳米线的半导体材料的接触由与所述半导体纳米线的顶面的接触占主导。 | ||
| 申请公布号 | CN104995741A | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201380073253.5 | 申请日期 | 2013.12.06 |
| 申请人 | 索尔伏打电流公司 | 发明人 | I.阿贝里;M.芒努松;D.阿索利;L.I.萨米尔森;J.奥尔松 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0735(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L33/16(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 杜娟娟;张懿 |
| 主权项 | 一种半导体纳米线器件，包括：至少一根半导体纳米线，其具有底面和顶面；绝缘材料，其包围所述半导体纳米线；以及电极，其欧姆接触所述半导体纳米线的顶面，其中，所述电极与所述半导体纳米线的半导体材料的接触由与所述半导体纳米线的顶面的接触占主导。 | ||
| 地址 | 瑞典隆德 | ||