发光二极体及其制造方法

主权项

一种发光二极体，包含：一N型半导体层，设置于一基板上；一多重量子井层，设置于该N型半导体层上；一P型氮化铟镓(InGaN)层，设置于该多重量子井层上；以及一氧化铟锡层，设置于该P型氮化铟镓层上，该氧化铟锡层之晶粒尺寸(grain size)介于5埃至1000埃间。