| 发明名称 | 薄化晶圆及晶圆薄化方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI505353 | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | TW101118427 | 申请日期 | 2012.05.23 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 徐长生;杨国裕;黄国雄;陈彦达;连加雯 |
| 分类号 | H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 代理人 | 郭晓文 台北市文山区罗斯福路6段407号4楼 | |
| 主权项 | 一种晶圆薄化方法，其方法包含下列步骤：提供一半导体晶圆，该半导体晶圆包含一第一表面、一第二表面与一侧壁表面，该侧壁表面连接于该第一表面与该第二表面之间，该第一表面已完成至少一半导体元件；以及利用一遮罩对该第二表面进行一非等向性蚀刻制程，保留该侧壁表面而去除该半导体晶圆之部份结构，使该第二表面上形成复数个凹槽并于该些凹槽之间留下至少一强化壁而完成一薄化晶圆。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||