| 发明名称 | 三维奈米结构阵列的制备方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI504556 | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | TW100137465 | 申请日期 | 2011.10.17 |
| 申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 朱振东;李群庆;张立辉;陈墨;金元浩;范守善 |
| 分类号 | B82B3/00;B82Y40/00 | 主分类号 | B82B3/00 |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种三维奈米结构阵列的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底的表面形成一掩模层；奈米压印所述掩模层，使所述掩模层表面形成并排延伸的复数条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成沟槽；蚀刻所述掩模层，使对应掩模层沟槽位置的衬底表面部份暴露；蚀刻所述衬底，使所述掩模层的所述复数条形凸起结构中相邻条形凸起结构依次两两闭合，形成复数三维奈米结构预制体；及去除所述掩模层，形成三维奈米结构阵列。 | ||
| 地址 | 新北市土城区自由街2号 | ||