| 发明名称 | 一种制作半导体元件的方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI505333 | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | TW100119762 | 申请日期 | 2011.06.07 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 洪文瀚;陈再富;罗大刚;郑子铭 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/336 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 | |
| 主权项 | 一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底；形成一虚置闸极于该基底表面；形成一接触洞蚀刻停止层于该虚置闸极及该基底表面；进行一平坦化制程，去除部分该接触洞蚀刻停止层；部分去除该虚置闸极；以及于去除该虚置闸极后对该接触洞蚀刻停止层进行一热处理制程。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||