| 主权项 |
一种半导体装置，其包括：一半导体层，其包含一第一通道及相邻于该第一通道之一第一源极/汲极终端区域且包含一第二通道及相邻于该第二通道之一第二源极/汲极终端区域，其中该第一通道及该第二通道相隔离；一闸极电极，其包含相隔离之该第一通道及该第二通道上之一主动区及一接触区，其中该闸极电极之该主动区在相隔离之该第一通道及该第二通道之间连续地延伸，及其中该闸极电极包含介于该接触区与该主动区之间之一电阻增加区域；及于与该半导体层相对面之该闸极电极之该接触区上且与该半导体层相对面之该闸极电极之该接触区电耦接之一金属接触件；其中该闸极电极包含于该主动区上、该接触区上及该电阻增加区域上之一层第一导电材料，且其中该闸极电极包含于该主动区上之一层第二导电材料，其中该电阻增加区域无该层第二导电材料，其中该层第一导电材料在该接触区及该主动区之间的一全部区域中连续地延伸而没有中断，其中该电阻增加区域系在该接触区与该第一通道及该第二通道两者之间，及其中该层第一导电材料及该层第二导电材料在该第一通道及该第二通道之间连续地延伸。
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