一种纵向短开启栅极沟道型HEMT器件

摘要

本实用新型涉及半导体器件领域，提供一种纵向短开启栅极沟道型HEMT器件，所述HEMT器件包括：衬底；位于衬底上的缓冲层；位于缓冲层上的第一GaN层，第一GaN层背离缓冲层的一侧具有凹槽；依次嵌入凹槽中的第二GaN层和第二势垒层；位于除凹槽以外的第一GaN层上的第一势垒层；位于第一势垒层和第二势垒层上的介质层；与第一GaN层接触的源电极和漏电极，且源电极和漏电极的侧面从下到上依次与第一势垒层和介质层接触；与介质层接触的栅电极。本实用新型能够获得HEMT器件的常关型操作模式，实现大阈值电压的同时有效减小器件的导通电阻，栅极结构还具有电容小，器件开关速度快等特点。

主权项

一种纵向短开启栅极沟道型HEMT器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的第一GaN层，所述第一GaN层背离缓冲层的一侧具有凹槽；依次嵌入所述凹槽中的第二GaN层和第二势垒层，其中，第二GaN层和第二势垒层形成异质结；位于除凹槽以外的第一GaN层上的第一势垒层，其中，第一GaN层和第一势垒层形成异质结；位于所述第一势垒层和所述第二势垒层上的介质层；与所述第一GaN层接触的源电极和漏电极，且所述源电极和漏电极的侧面从下到上依次与第一势垒层和介质层接触；与所述介质层接触的栅电极。