垂直双扩散MOS管及其制造方法

摘要

本发明提出一种垂直双扩散MOS管，包括：P阱区，位于P阱区表面的P⁺离子层，及位于P⁺离子层表面的N⁺源区。本发明同时还提供制造所述垂直双扩散MOS管的方法，包括在N⁺源区进行离子注入以在P阱区表面形成P⁺离子层的步骤。本发明所提供方案可以有效降低P阱区电阻，从而降低MOS管寄生三极管的P型基区电阻，保证垂直双扩散MOS管的工作稳定性，同时其形成方法工艺简单，无需额外的掩膜工艺，实现成本较低。

主权项

一种垂直双扩散MOS管，包括：N型衬底，包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；位于所述第一表面的漏极；位于所述第二表面的N型外延层；位于所述N型外延层内的P阱区，所述P阱区的上表面与N型外延层上表面齐平，所述P阱区中具有硼离子，注入硼离子时的剂量为1E11‑1E12/cm²，注入能量是120‑180Kev；其特征在于，还包括：位于所述P阱区表面的P⁺离子层，所述P⁺离子层中的离子为硼离子，注入硼离子时的剂量为1E14‑1E15/cm²，注入能量是20‑100Kev；位于所述P阱区和P⁺离子层表面的N⁺源区，所述N⁺源区的上表面与所述N型外延层上表面齐平，所述N⁺源区中的离子为磷离子，注入磷离子时的剂量为1E14‑3E15/cm²，注入能量是30‑60Kev；位于所述P⁺离子层和N⁺源区表面的源极，所述源极的上表面与N型外延层上表面齐平；栅极结构，所述栅极结构包括部分位于N型外延层、P阱区和N⁺源区表面的栅介质层、以及位于栅介质层表面的栅电极层；位于栅极结构的两侧的N型外延层表面的侧墙。