| 发明名称 | 铜互连结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种铜互连结构及其制造方法，利用含有硼和氮的化合物作为扩散阻挡层，由于含有硼和氮的化合物具有较低的介电常数，通常在4.0～4.5之间，此外，含有硼和氮的化合物能够与铜很好的粘结，并且具有较高的密度，从而能够很好的阻挡铜的扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN102956539B | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201110236698.3 | 申请日期 | 2011.08.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种铜互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成下扩散阻挡层，所述下扩散阻挡层是含有硼和氮的化合物；在所述下扩散阻挡层上形成隔离结构；在所述下扩散阻挡层上形成铜互连线，且所述隔离结构隔离所述铜互连线；在所述铜互连线上形成上扩散阻挡层，所述上扩散阻挡层是含有硼、氮和碳的化合物；其中，利用化学气相沉积工艺形成所述下扩散阻挡层和所述上扩散阻挡层，所述化学气相沉积工艺所使用的气体包括C<sub>3</sub>H<sub>12</sub>BN、N<sub>2</sub>、NH<sub>2</sub>‑H<sub>2</sub>N和NH<sub>3</sub>，提高所述上扩散阻挡层和所述下扩散阻挡层中的B、N的含量。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||