一种单芯片颜色可调的GaN基LED结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种单芯片颜色可调的GaN基LED结构的制备方法，包括下步骤：1)取GaN基LED，再在GaN基LED中的P-GaN层上开设若干通孔，然后再在GaN基LED中的电子阻挡层上开设若干凹槽，使GaN基LED中的电子阻挡层上的凹槽正对GaN基LED中的P-GaN层上对应通孔，GaN基LED中的电子阻挡层上任意一个凹槽与GaN基LED中的P-GaN层上对应通孔形成一个孔洞；2)给GaN基LED上的各孔洞内填入金属银，然后再进行加热处理，使GaN基LED中的P-GaN层中的Ga原子向金属银中扩散，并在GaN基LED中的P-GaN层内产生Ga空位缺陷，得单芯片颜色可调的GaN基LED结构。本发明制备的GaN基LED结构能够发生缺陷能级复合发光，实现LED发出的光的颜色调节。

主权项

一种单芯片颜色可调的GaN基LED结构的制备方法，其特征在于，包括下步骤：1)取GaN基LED，再在GaN基LED中的P‑GaN层上开设若干通孔，然后再在GaN基LED中的电子阻挡层上开设若干凹槽，使GaN基LED中的电子阻挡层上的凹槽正对GaN基LED中的P‑GaN层上对应通孔，GaN基LED中的电子阻挡层上任意一个凹槽与GaN基LED中的P‑GaN层上对应通孔形成一个孔洞；2)给GaN基LED上的各孔洞内填入金属银，然后再进行加热处理，使GaN基LED中的P‑GaN层中的Ga原子向金属银中扩散，并在GaN基LED中的P‑GaN层内产生Ga空位缺陷，得单芯片颜色可调的GaN基LED结构。