SiC外延晶片及其制造方法

摘要

本发明提供一种在晶片的整个面没有台阶束的无台阶束的SiC外延晶片及其制造方法。本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：将以5°以下的偏轴角倾斜的4H-SiC单晶基板研磨到其表面的晶格无序层变为3nm以下的工序；在氢气氛下，使研磨后的基板为1400～1600℃，将其表面清洁化的工序；向清洁化后的基板的表面，以浓度比C/Si为0.7～1.2同时地供给碳化硅的外延生长所需要的量的SiH₄气体和C₃H₈气体，使碳化硅外延生长的工序；和同时地停止SiH₄气体和C₃H₈气体的供给，保持基板温度直到排出SiH₄气体和C₃H₈气体，其后进行降温的工序。

主权项

一种SiC外延晶片，是在以0.4°～5°的偏轴角倾斜的4H‑SiC单晶基板上形成了SiC外延层的SiC外延晶片，其特征在于，在通过使用激光的光学式表面检查装置测定了所述SiC外延晶片层的表面的情况下，所述表面的平方平均粗糙度Rq为1.3nm以下，所述晶片的外延层表面的台阶的线密度为5mm^‑1以下，所述台阶与起因于所述SiC外延层中的螺旋位错的浅坑连接。